Транзистор NJVMJD128T4G
NJVMJD128T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 120 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 8 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 4 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NJVMJD128T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1587 |
PTH |
PNP |
75 |
160 |
150 |
5 |
8 |
80 |
5000 |
160 |
150 |
TO-3PF |
| 2SB1594 |
PTH |
PNP |
150 |
160 |
160 |
5 |
10 |
30 |
3000 |
150 |
150 |
TO-3PL |
| CP1016 |
PTH |
PNP |
60 |
160 |
150 |
5 |
10 |
65 |
2000 |
160 |
150 |
TO-3 |
| CP107 |
PTH |
PNP |
60 |
140 |
130 |
5 |
10 |
65 |
2000 |
160 |
150 |
TO-220 |
| MJD128T4G |
SMD |
PNP |
20 |
120 |
120 |
5 |
8 |
4 |
1000 |
300 |
150 |
TO-252 |