Транзистор NJVMJD210T4G

NJVMJD210T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 12.5 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 8 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 65 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
• Емкость коллекторного перехода, Cc: -
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор NJVMJD210T4G можно заменить на:

Нет элементов для замены