Транзистор NJVMJD253T4G
NJVMJD253T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 12.5 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 4 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 40 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 15
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NJVMJD253T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MJD253-1G |
PTH |
PNP |
12.5 |
100 |
100 |
7 |
4 |
40 |
40 |
50 |
150 |
TO-251 |
| MJD253T4G |
SMD |
PNP |
12.5 |
100 |
100 |
7 |
4 |
40 |
40 |
50 |
150 |
TO-252 |
| MJE253G |
PTH |
PNP |
15 |
100 |
100 |
7 |
4 |
40 |
40 |
50 |
150 |
TO-126 |