Справочник электронных компонентов

Транзистор NSM6056MT1G

NSM6056MT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SC-74

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.38 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: -

Транзистор NSM6056MT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC6094-TD-E	SMD	NPN	3.5	100	60	6.5	3	390	300	18	150	SOT-89
2SC6095-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	80	6.5	2.5	350	300	14	150	SOT-89
2SC6096-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
2SC6096-TD-H	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
KTD1003A	SMD	NPN	0.5	60	50	-	1	250	800	-	175	SOT-89
KTD1003B	SMD	NPN	0.5	60	50	-	1	250	1200	-	175	SOT-89
STC503F	SMD	NPN	1	80	65	5	3	250	300	15	150	SOT-89