Справочник электронных компонентов

Транзистор NSS12200LT1G

NSS12200LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.71 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 12 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 12 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 250
Емкость коллекторного перехода, Cc: 120 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор NSS12200LT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1121U	SMD	PNP	1	30	25	7	2	150	280	32	175	SOT-89
2SB1124U	SMD	PNP	1	60	50	7	3	150	280	39	175	SOT-89
2SB927U	PTH	PNP	1	30	30	9	2.5	150	280	32	150	SOT-33
NSS20200LT1G	SMD	PNP	0.71	20	20	7	2	100	250	100	150	SOT-23
NSV20200LT1G	SMD	PNP	0.71	20	20	7	2	100	250	100	150	SOT-23
ZXT13P40DE6	SMD	PNP	1.1	40	40	7.5	3	115	300	42	150	SOT-26,SOT-23-6