Транзистор NSS1C300ET4G
NSS1C300ET4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 12.5 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 140 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NSS1C300ET4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BTB1216J3 |
SMD |
PNP |
20 |
180 |
140 |
6 |
5 |
110 |
150 |
40 |
150 |
TO-252 |
| NSS1C300E |
SMD |
PNP |
12.5 |
140 |
100 |
6 |
3 |
100 |
120 |
60 |
150 |
TO-252 |
| NSV1C300ET4G |
SMD |
PNP |
33 |
140 |
100 |
6 |
3 |
100 |
120 |
60 |
150 |
TO-252 |