Транзистор NSV1C200LT1G
NSV1C200LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.71 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 140 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 120 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 22 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NSV1C200LT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NSS1C200MZ4T1G |
SMD |
PNP |
2 |
140 |
100 |
7 |
2 |
120 |
120 |
22 |
150 |
SOT-223 |
| NSS1C200MZ4T3G |
SMD |
PNP |
2 |
140 |
100 |
7 |
2 |
120 |
120 |
22 |
150 |
SOT-223 |
| NSV1C200MZ4T1G |
SMD |
PNP |
2 |
140 |
100 |
7 |
2 |
120 |
120 |
22 |
150 |
SOT-223 |