Транзистор NSV20101JT1G
NSV20101JT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-490
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.26 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 20 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 350 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NSV20101JT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NSS20101J |
SMD |
NPN |
0.26 |
40 |
20 |
6 |
1 |
350 |
200 |
6 |
150 |
SC-89 |