Транзистор NSVMMBT6520LT1G
NSVMMBT6520LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.23 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 350 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 350 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 40 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 30
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NSVMMBT6520LT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 3DG6520 |
PTH |
PNP |
0.625 |
350 |
350 |
5 |
0.5 |
40 |
30 |
6 |
150 |
TO-92 |
| BF493S |
PTH |
PNP |
0.625 |
350 |
350 |
6 |
0.5 |
50 |
40 |
1.6 |
150 |
TO-92 |
| BF493SP |
PTH |
PNP |
0.625 |
350 |
350 |
6 |
0.5 |
50 |
40 |
1.6 |
175 |
TO-92 |
| CMPTA92E |
SMD |
PNP |
0.35 |
350 |
350 |
6 |
0.5 |
50 |
50 |
6 |
150 |
SOT-23 |
| MMBT6520 |
SMD |
PNP |
0.3 |
350 |
350 |
5 |
0.5 |
40 |
30 |
6 |
150 |
SOT-23 |