Справочник электронных компонентов

Транзистор PBSS5130QA

PBSS5130QA - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DFN1010D-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 120 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 130
Емкость коллекторного перехода, Cc: 14 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PBSS5130QA можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1122S	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	140	12	175	SOT-89
2SB1122T	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	200	12	175	SOT-89
2SB1122U	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	280	12	175	SOT-89
2SB892S	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	140	12	150	TO-92
2SB892T	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	200	12	150	TO-92
2SB892U	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	280	12	150	TO-92