Справочник электронных компонентов

Транзистор PBSS5130T

PBSS5130T - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.3 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
Емкость коллекторного перехода, Cc: 28 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PBSS5130T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA2086S	PTH	PNP	0.3	30	30	6	1	350	390	10	150	SC-72
2SB1076M	PTH	PNP	1	40	40	5	2	150	1000	11	150	ATR
BTB5240N3	SMD	PNP	0.48	40	40	7	2	100	300	26	150	SOT-23
CMMT591A	SMD	PNP	0.5	40	40	5	1	150	300	10	150	SOT-23
CPBT720	SMD	PNP	0.35	35	40	5	1.5	150	300	25	150	SOT-23
FMMT720	SMD	PNP	0.625	40	40	5	1.5	150	300	15	150	TO-236
FMMT722	SMD	PNP	0.625	70	70	5	1.5	150	300	20	150	TO-236
FMMT723	SMD	PNP	0.625	100	100	5	1	150	300	20	150	TO-236
PBSS5140S	PTH	PNP	0.83	40	40	5	1	150	300	12	150	TO-92
PBSS5140T	SMD	PNP	0.3	40	40	5	1	150	300	12	150	SOT-23
PBSS5230T	SMD	PNP	0.3	30	30	5	2	100	300	28	150	SOT-23
PBSS5240T	SMD	PNP	0.3	40	40	5	2	100	300	28	150	SOT-23