Справочник электронных компонентов

Транзистор PMD10K80

PMD10K80 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 12 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 10000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PMD10K80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD2401Y	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	15000	95	150	MT200
2SD2561Y	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	15000	120	150	MT200
PMD10K100	PTH	NPN	150	100	100	5	12	-	10000	-	150	TO-3
PMD1602K	PTH	NPN	180	80	80	5	20	-	10000	-	200	TO-3
PMD1603K	PTH	NPN	180	100	100	5	20	-	10000	-	200	TO-3
PMD16K100	PTH	NPN	220	100	100	5	20	-	10000	-	200	TO-3
PMD16K80	PTH	NPN	220	80	80	5	20	-	10000	-	200	TO-3
PMD18K100	PTH	NPN	240	100	100	5	30	-	10000	-	200	TO-3
PMD18K80	PTH	NPN	240	80	80	5	30	-	10000	-	200	TO-3