Справочник электронных компонентов

Транзистор PTB20003

PTB20003 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: M118

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 35 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 50 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 4 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.7 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 915 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 20
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PTB20003 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
PTB20007	PTH	NPN	175	50	40	4	10	935	20	-	150	M169
PTB20008	PTH	NPN	65	50	40	4	10	935	20	-	150	M118
PTB20052	PTH	NPN	56	50	50	4	2.8	1400	20	23	150	M118
PTB20095	PTH	NPN	65	50	40	4	6.7	915	20	-	150	M118
PTB20097	PTH	NPN	175	50	40	4	10	915	20	-	150	M168
PTB20141	PTH	NPN	51.5	50	50	4	2	1400	20	-	150	M118
PTB20148	PTH	NPN	145	65	40	4	8	925	20	-	150	M169
PTB20171	PTH	NPN	145	50	50	4	5	935	40	-	150	M169
PTB20183	PTH	NPN	145	50	50	4	5	935	40	-	150	M169