Справочник электронных компонентов

Транзистор PXT8050-D3

PXT8050-D3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
Емкость коллекторного перехода, Cc: 15 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PXT8050-D3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC6095-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	80	6.5	2.5	350	300	14	150	SOT-89
2SC6096-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
2SC6096-TD-H	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
2SD1536M	PTH	NPN	1	40	40	5	2	150	1000	11	150	ATR
NST489AMT1G	SMD	NPN	0.535	50	30	5	2	200	300	15	150	TSOP-6
NSVT489AMT1G	SMD	NPN	0.535	50	30	5	2	200	300	15	150	TSOP-6
PBSS4240X	SMD	NPN	1.35	40	40	5	2	150	300	10	150	SOT-89
STC503F	SMD	NPN	1	80	65	5	3	250	300	15	150	SOT-89
ZTX692B	PTH	NPN	1	70	70	5	2	150	500	14	200	TO-226