Справочник электронных компонентов

Транзистор PXT8550-C

PXT8550-C - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
Емкость коллекторного перехода, Cc: 15 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PXT8550-C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SAR554P	SMD	PNP	0.5	80	80	6	1.5	340	120	15	150	MPT3
2SAR554PFRA	SMD	PNP	0.5	80	80	6	1.5	340	120	15	150	SOT-89
2SAR554R	SMD	PNP	0.5	80	80	6	1.5	340	120	15	150	TSMT3
2SB892S	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	140	12	150	TO-92
2SB892T	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	200	12	150	TO-92
2SB892U	PTH	PNP	1	60	60	7	2	150	280	12	150	TO-92
FMMT720	SMD	PNP	0.625	40	40	5	1.5	150	300	15	150	TO-236
PXT8550-D	SMD	PNP	0.5	40	25	5	1.5	100	160	15	150	SOT-89
PXT8550-D3	SMD	PNP	0.5	40	25	5	1.5	100	300	15	150	SOT-89