Транзистор SGSD200
SGSD200 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TOP-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 130 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 25 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SGSD200 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1232 |
PTH |
PNP |
150 |
110 |
100 |
5 |
40 |
- |
300 |
- |
175 |
TO-218 |
| BDS28BM3A |
PTH |
PNP |
150 |
90 |
90 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-254AA |
| BDS28BN2 |
SMD |
PNP |
150 |
90 |
90 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-276AB |
| BDS28CM3A |
PTH |
PNP |
150 |
120 |
120 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-254AA |
| BDS28CN2 |
SMD |
PNP |
150 |
120 |
120 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-276AB |
| BDX68A |
PTH |
PNP |
200 |
100 |
100 |
- |
25 |
- |
1000 |
- |
200 |
TO-3 |
| BDX68B |
PTH |
PNP |
200 |
100 |
100 |
- |
25 |
- |
1000 |
- |
200 |
TO-3 |
| BDX68C |
PTH |
PNP |
200 |
120 |
120 |
- |
25 |
- |
1000 |
- |
200 |
TO-3 |
| MJ11033G |
PTH |
PNP |
300 |
120 |
120 |
5 |
50 |
- |
1000 |
- |
200 |
TO-3 |
| PMD19D100 |
PTH |
PNP |
300 |
100 |
100 |
5 |
50 |
- |
800 |
1200 |
200 |
TO-3 |
| PMD19D80 |
PTH |
PNP |
300 |
80 |
80 |
5 |
50 |
- |
800 |
1200 |
200 |
TO-3 |
| PMD19K100 |
PTH |
PNP |
240 |
100 |
100 |
5 |
30 |
- |
800 |
- |
200 |
TO-3 |
| PMD19K80 |
PTH |
PNP |
240 |
80 |
80 |
5 |
30 |
- |
800 |
- |
200 |
TO-3 |
| SFT6287 |
PTH |
PNP |
350 |
120 |
120 |
8 |
50 |
1.5 |
500 |
650 |
200 |
TO-258,TO-259 |