Справочник электронных компонентов

Транзистор SGSF664

SGSF664 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 250 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 1200 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 600 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 20 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: -
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SGSF664 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC3997	PTH	NPN	250	1500	800	7	20	-	20	-	175	TO-264
2SC3998	PTH	NPN	250	1500	800	7	25	-	30	-	175	TO-264
BUV298CV	Модуль	NPN	300	1200	700	7	45	-	12	-	200	ISOTOP
BUX348CPF	PTH	NPN	300	1200	800	-	24	-	10	-	200	TOP-3
BUX98C	PTH	NPN	250	1200	700	-	30	-	10	-	200	TO-3
D60T7540	Болт	NPN	885	1200	800	-	40	7	10	-	175	TO-62
D60T7550	Болт	NPN	885	1200	800	-	50	7	10	-	175	TO-62
D62T8030	Диск	NPN	1700	1200	800	-	30	7	10	-	175	DISK42
D62T8040	Диск	NPN	1700	1200	800	-	40	7	10	-	175	DISK42
SGSF665	PTH	NPN	250	1300	600	-	20	-	-	-	175	TO-3