Транзистор STC503D

STC503D - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 10 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 65 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 15 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STC503D можно заменить на:

Нет элементов для замены