Справочник электронных компонентов

Транзистор TD367B

TD367B - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 20 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 500
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор TD367B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6284	PTH	NPN	160	100	100	5	20	4	750	600	200	TO-3
2N6284G	PTH	NPN	160	100	100	5	20	4	750	400	200	TO-3
BDS29CM3A	PTH	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-254AA
BDS29CN2	SMD	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-276AB
BDX67B	PTH	NPN	150	120	100	5	20	3	2000	-	200	TO-3
BDX67C	PTH	NPN	150	140	120	5	20	3	2000	-	200	TO-3
MJ11016	PTH	NPN	200	120	120	5	30	-	2000	-	200	TO-3
MJ11032G	PTH	NPN	300	120	120	5	50	-	1000	-	200	TO-3
SFT6284	PTH	NPN	350	350	250	5	50	2	500	650	200	TO-258,TO-259
TD367C	PTH	NPN	150	120	120	5	20	-	500	-	200	TO-3