Транзистор ZXTN25100DG

ZXTN25100DG - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 3 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 175 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
• Емкость коллекторного перехода, Cc: -
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: -

Транзистор ZXTN25100DG можно заменить на:

Нет элементов для замены