Транзистор ZXTP2013

ZXTP2013 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 3 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 140 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 125 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 42 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор ZXTP2013 можно заменить на:

Нет элементов для замены