Справочник электронных компонентов

Транзистор GS112E

GS112E - Транзистор германиевый биполярный структуры PNP

Основные характеристики:

Транзистор GS112E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pc, Вт Vcb, В Vce, В Veb, В Ic, А Ft, МГц Hfe Cc, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
2N1176B PTH PNP 0.3 60 60 1 0.3 0.3 200 90 100 TO-5
2N1185 PTH PNP 0.2 45 30 30 0.5 1.4 130 25 100 TO-5
2N3428 PTH PNP 0.2 45 30 30 0.5 5 125 20 100 TO-5
2N655 PTH PNP 0.2 30 30 25 0.25 2.5 150 20 90 TO-5
AC138-7 PTH PNP 0.72 32 20 10 1.2 1 125 80 90 TO-1
AC173VII PTH PNP 0.2 32 24 10 0.3 1 125 50 90 TO-1
AC180VII PTH PNP 0.3 32 16 20 1.5 1 125 60 100 X04
AC184VII PTH PNP 0.27 32 16 20 0.5 1 125 80 100 TO-18
AC188-8 PTH PNP 0.225 25 15 10 2 1 130 110 90 TO-1
AC188-9 PTH PNP 0.225 25 15 10 2 1 200 110 90 TO-1
AC191-7 PTH PNP 0.43 32 15 25 0.25 1 125 60 90 TO-1
AC191-8 PTH PNP 0.43 32 15 25 0.25 1 225 60 90 TO-1
AC192-7 PTH PNP 0.43 32 15 10 0.25 1 125 60 90 TO-1
AC192-8 PTH PNP 0.43 32 15 10 0.25 1 225 60 90 TO-1
AC193K9 PTH PNP 0.26 32 32 10 2 1 200 80 90 X04
GS111E PTH PNP 0.083 20 - - 0.21 - 120 - 90 TO-39
MA1702 PTH PNP 0.2 45 30 - 0.5 7 200 20 100 TO-5
MA1705 PTH PNP 0.2 25 25 - 0.5 6 200 20 100 TO-5
MA4404 PTH PNP 0.2 25 24 - 0.35 2 145 25 100 TO-5
MA884 PTH PNP 0.2 60 60 15 0.5 1 190 25 100 TO-5
MA889 PTH PNP 0.2 50 50 15 0.5 1 190 25 100 TO-5
MM4404 PTH PNP 0.15 40 35 25 0.25 12 145 20 200 TO-18