Транзистор 2N6451

2N6451 - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-72

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.36 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 20 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 3.5 В
• Ток утечки затвора, Igss: 0.1 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор 2N6451 можно заменить на:

Нет элементов для замены