Транзистор 2SJ125-E
2SJ125-E - Транзистор полевой JFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-59
- SMD-код: JE
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 50 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 12 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 6 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 220 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SJ125-E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SJ145-E |
SMD |
P |
0.15 |
50 |
12 |
6 |
1 |
220 |
18 |
125 |
SC-70 |
| 2SJ498-E |
PTH |
P |
0.45 |
50 |
12 |
6 |
1 |
220 |
18 |
125 |
TO-92S |