Транзистор 2SJ164-Q
2SJ164-Q - Транзистор полевой JFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: NS-B1
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.3 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 65 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 3 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 3.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 10 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 300 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 10 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SJ164-Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SJ0164-Q |
PTH |
P |
0.3 |
65 |
3 |
3.5 |
10 |
300 |
10 |
150 |
NS-B1 |
| 2SJ0164-R |
PTH |
P |
0.3 |
65 |
6 |
3.5 |
10 |
300 |
10 |
150 |
NS-B1 |
| 2SJ164-R |
PTH |
P |
0.3 |
65 |
6 |
3.5 |
10 |
300 |
10 |
150 |
NS-B1 |