Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SK0663-P

2SK0663-P - Транзистор полевой JFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SC-70
SMD-код: 2BP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 55 В
Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 3 мА
Напряжение отсечки, Vgs(off): 5 В
Ток утечки затвора, Igss: 10 нА
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6.5 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц

Транзистор 2SK0663-P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vbgs, В	Idss, мА	Vgs(off), В	Igss, нА	Rds, Ом	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SK0301-P	PTH	N	0.25	55	3	5	10	-	6.5	125	TO-92
2SK0374-P	SMD	N	0.2	55	3	5	10	-	6.5	150	SC-59
2SK301-P	PTH	N	0.25	55	3	5	10	-	6.5	125	TO-92
2SK374-P	SMD	N	0.2	55	3	5	10	-	6.5	150	SC-59
2SK663-P	SMD	N	0.15	55	3	5	10	-	6.5	125	SC-70