Транзистор 2SK1070-E
2SK1070-E - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MPAK
- SMD-код: PIE
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 22 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 40 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 2.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 10 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 9 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SK1070-E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KTK951S-E |
SMD |
N |
0.15 |
22 |
40 |
2.5 |
10 |
- |
9 |
150 |
SOT-23 |