Транзистор 2SK113-R

2SK113-R - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-18

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.25 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 50 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 30 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 3 В
• Ток утечки затвора, Igss: 0.1 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 100 Ом
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 14 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SK113-R можно заменить на:

Нет элементов для замены