Транзистор 2SK1216

2SK1216 - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-236
• SMD-код: 4T

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.2 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 10 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 14 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 3 В
• Ток утечки затвора, Igss: 2 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SK1216 можно заменить на:

Нет элементов для замены