Транзистор 2SK170-V
2SK170-V - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.4 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 40 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 20 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK170-V можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK364-V |
PTH |
N |
0.4 |
40 |
20 |
1.5 |
1 |
50 |
30 |
125 |
TO-92 |