Транзистор 2SK209-GR
2SK209-GR - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: XG
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 50 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 6.5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 13 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK209-GR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK117-GR |
PTH |
N |
0.3 |
50 |
6.5 |
1.5 |
1 |
- |
13 |
125 |
TO-92 |
| 2SK184-GR |
PTH |
N |
0.2 |
50 |
6.5 |
1.5 |
1 |
- |
13 |
125 |
2-4E1C |
| 2SK362-GR |
PTH |
N |
0.3 |
50 |
6.5 |
1.5 |
1 |
80 |
13 |
125 |
TO-92 |
| 2SK365-GR |
PTH |
N |
0.2 |
50 |
6.5 |
1.5 |
1 |
80 |
13 |
125 |
2-4E1C |
| NTE458 |
PTH |
N |
0.25 |
50 |
12 |
1.5 |
1 |
- |
13 |
125 |
TO-92 |