Транзистор 2SK2170
2SK2170 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMCP
- SMD-код: JA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 4.5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 2.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 250 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SK2170 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK1806-E |
PTH |
N |
0.25 |
30 |
6 |
2.5 |
1 |
250 |
5 |
150 |
DP3 |