Транзистор 2SK3376TK-C
2SK3376TK-C - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TESM3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.48 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1.2 В
- Ток утечки затвора, Igss: -
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK3376TK-C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N3687 |
PTH |
N |
0.35 |
50 |
0.5 |
1.2 |
0.1 |
2400 |
4 |
200 |
TO-72 |
| 2SK3376MFV-C |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
0.48 |
1.2 |
- |
- |
5.5 |
125 |
VESM |
| 2SK3376TV-C |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
0.48 |
1.2 |
- |
- |
5.5 |
125 |
VESM2 |
| PN3687 |
PTH |
N |
0.35 |
50 |
0.5 |
1.2 |
0.1 |
2400 |
4 |
150 |
TO-92 |