Транзистор 2SK3666G-AE3-R-2
2SK3666G-AE3-R-2 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 1.5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 2.2 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 270 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SK3666G-AE3-R-2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3666-2 |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
1.5 |
2.2 |
1 |
200 |
4 |
150 |
SOT-23 |
| 2SK3666-3 |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
3 |
2.2 |
1 |
200 |
4 |
150 |
SOT-23 |
| 2SK3666G-AE3-R-3 |
SMD |
N |
0.2 |
30 |
3 |
2.2 |
1 |
270 |
4 |
150 |
SOT-23 |