Транзистор 2SK367-GR
2SK367-GR - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: 2-4E1B
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 100 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 6.5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 3.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 13 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK367-GR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK373-GR |
PTH |
N |
0.4 |
100 |
6.5 |
3.5 |
1 |
- |
13 |
125 |
TO-92 |