Транзистор 2SK660
2SK660 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: SST
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1 В
- Ток утечки затвора, Igss: -
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK660 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK4059MFV-BK |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
0.5 |
1 |
- |
- |
4 |
125 |
VESM |
| 2SK4059TK-BK |
SMD |
N |
0.1 |
20 |
0.5 |
1 |
- |
- |
4 |
125 |
TESM3 |
| 2SK4059TV-BK |
SMD |
N |
0.1 |
20 |
0.5 |
1 |
- |
- |
4 |
125 |
VESM2 |
| 2SK997 |
PTH |
N |
0.1 |
20 |
0.5 |
1 |
- |
- |
6 |
125 |
SST |