Транзистор 2SK709-V

2SK709-V - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-92

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.3 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 32 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 2.5 В
• Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 10 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц

Транзистор 2SK709-V можно заменить на:

Нет элементов для замены