Транзистор 2SK710-GR
2SK710-GR - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: 2-4E1C
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 12 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 2.5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 10 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор 2SK710-GR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK709-BL |
PTH |
N |
0.3 |
20 |
20 |
2.5 |
1 |
- |
10 |
125 |
TO-92 |
| 2SK709-GR |
PTH |
N |
0.3 |
20 |
12 |
2.5 |
1 |
- |
10 |
125 |
TO-92 |
| 2SK710-BL |
PTH |
N |
0.2 |
20 |
20 |
2.5 |
1 |
- |
10 |
125 |
2-4E1C |
| 2SK771-5 |
SMD |
N |
0.2 |
40 |
12 |
2.5 |
1 |
- |
9 |
150 |
CP |
| 2SK772-F |
PTH |
N |
0.3 |
40 |
12 |
2.5 |
1 |
- |
9 |
150 |
SPA |