Транзистор CP652
CP652 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 8 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: -
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 10 В
- Ток утечки затвора, Igss: 100 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 200 гр.Ц
Транзистор CP652 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CP650 |
PTH |
N |
8 |
25 |
1200 |
10 |
100 |
4 |
25 |
200 |
TO-5 |