Транзистор CP666

CP666 - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-5

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 8 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 50 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 800 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 10 В
• Ток утечки затвора, Igss: 100 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор CP666 можно заменить на:

Нет элементов для замены