Транзистор EC3A01B
EC3A01B - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ECSP1006-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.38 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1.2 В
- Ток утечки затвора, Igss: -
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор EC3A01B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK1375-23 |
SMD |
N |
0.1 |
20 |
0.5 |
1.2 |
- |
- |
3.5 |
150 |
MCP |