Транзистор EC3A03B
EC3A03B - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ECSP1006-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 40 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.13 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 4 В
- Ток утечки затвора, Igss: 0.5 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1.7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор EC3A03B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK1068-11 |
SMD |
N |
0.1 |
40 |
0.18 |
4 |
0.5 |
- |
1.7 |
150 |
MCP |