Транзистор J175
J175 - Транзистор полевой JFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 70 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 6 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 125 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 135 гр.Ц
Транзистор J175 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SST175 |
SMD |
P |
0.35 |
30 |
70 |
6 |
1 |
125 |
5.5 |
135 |
SOT-23 |