Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор K1109G-J33-AE3 полевой JFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор K1109G-J33-AE3
K1109G-J33-AE3 - Транзистор полевой JFET структуры N
Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.08 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.11 мА
Напряжение отсечки, Vgs(off): 1 В
Ток утечки затвора, Igss: -
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 8 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц