Транзистор KSK30-O
KSK30-O - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 50 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 1.4 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 8.2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор KSK30-O можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK118-O |
PTH |
N |
0.1 |
50 |
1.4 |
5 |
1 |
- |
8.2 |
125 |
2-4E1B |
| 2SK208-O |
SMD |
N |
0.1 |
50 |
1.4 |
5 |
1 |
- |
8.2 |
125 |
SOT-23 |
| 2SK30ATM-O |
PTH |
N |
0.1 |
50 |
1.4 |
5 |
1 |
- |
8.2 |
125 |
TO-92 |
| 2SK879-O |
SMD |
N |
0.1 |
50 |
1.4 |
5 |
1 |
- |
8.2 |
125 |
SOT-323 |