Транзистор MMBFJ175LT1

MMBFJ175LT1 - Транзистор полевой JFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.225 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 60 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 6 В
• Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 125 Ом
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 11 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMBFJ175LT1 можно заменить на:

Нет элементов для замены