Транзистор MMBFJ176
MMBFJ176 - Транзистор полевой JFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 25 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 4 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 250 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMBFJ176 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N5116 |
PTH |
P |
0.5 |
30 |
25 |
4 |
0.5 |
150 |
25 |
200 |
TO-18 |
| CMPFJ176 |
SMD |
P |
0.225 |
30 |
25 |
4 |
1 |
250 |
- |
150 |
SOT-23 |
| PMBFJ176 |
SMD |
P |
0.3 |
30 |
35 |
4 |
1 |
250 |
30 |
150 |
SOT-23 |
| SST5116 |
SMD |
P |
0.35 |
30 |
25 |
4 |
0.5 |
150 |
- |
150 |
SOT-23 |