Транзистор MMBFJ212
MMBFJ212 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 25 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 40 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 6 В
- Ток утечки затвора, Igss: 0.1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMBFJ212 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMBFJ212 |
SMD |
N |
0.25 |
25 |
40 |
6 |
0.1 |
- |
4 |
150 |
SOT-23 |