Транзистор SST112
SST112 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: 112, C12, C2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.36 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 35 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 5 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 5 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 50 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 135 гр.Ц
Транзистор SST112 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| J112 |
PTH |
N |
0.36 |
35 |
5 |
5 |
1 |
50 |
5 |
135 |
TO-92 |