Транзистор TIS75
TIS75 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 80 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 4 В
- Ток утечки затвора, Igss: 2 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 60 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TIS75 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N4858 |
PTH |
N |
0.36 |
40 |
80 |
4 |
0.25 |
60 |
18 |
175 |
TO-18 |
| 2N4858A |
PTH |
N |
0.36 |
40 |
80 |
4 |
0.25 |
60 |
10 |
175 |
TO-18 |
| 2N4861 |
PTH |
N |
0.36 |
30 |
80 |
4 |
0.25 |
60 |
18 |
175 |
TO-18 |
| 2N4861A |
PTH |
N |
0.36 |
30 |
80 |
4 |
0.25 |
60 |
10 |
175 |
TO-18 |